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データシート 3DD3040A1 PDF ダウンロード ( 特性, スペック, ピン接続図 )

部品番号 3DD3040A1
部品説明 Silicon NPN Transistor
メーカ Huajing Microelectronics
ロゴ Huajing Microelectronics ロゴ 
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3DD3040A1 Datasheet, 3DD3040A1 PDF,ピン配置, 機能
硅三重扩散 NPN 双极型晶体管
3DD3040 A1
R
产品概述
3DD3040 A1-H 是硅
NPN 型功率开关晶体管,
产品采用平面工艺压环
终端构和少子寿命控制
技术了产品的击穿电
开关可靠性
存储条件和焊接温度
产品特点
开关损耗低
反向漏电流小
高温特性好
反向击穿电压高
可靠性高
应用
充电器
适配器
一般功率开关电路
存放有效期
存放条件
极限耐焊接热
环境温度-10℃~40
1 265
相对湿度 <85
特征参数
符号
额定值 单 位
VCEO
IC
Ptot Ta=25℃)
450
2
0.8
V
A
W
封装 TO-92
内部结构图
C
B
极限值
除非另有规定,Ta= 25
参数名称
集电极-基 极电压
集电极-发射极电压
发射极-基 极电压
集电极直流电流
集电极脉冲电流(tp5ms
基极直流电流
基极脉冲电流(tp5ms
耗散功率
结温
贮存温度
热阻
参数名称
结到环境的热阻
E
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICM
IB
IBM
Ptot
Tj
Tstg
额定值
700
450
9
2
4
1
2
0.8
150
-55150
单位
V
V
V
A
A
A
A
W
符号
RθJA
最小值
典型值
最大值
156
单位
/W
无锡华润华晶微电子有限公司
2015V01
1/5

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3DD3040A1 pdf, ピン配列
3DD3040 A1
R
特性曲线
10
安全工作区(单脉冲)
Ptot Ta 关系曲线
1
1
0.1 D C
100μs
0.01
0.001
1
Ta=25
10 100
1ms
10ms
1000
集电极-发射极电压 VCE (V)
IC-VCE 特性 (典型)
1
Ta=25
0.5
0.8
Without Heatsink
0.6
0.4
0.2
0
0
100
25 50
75 100 125
环境温度 Ta ()
150
hFE-IC 温度特性 (典型)
Ta=125
VCE=5V
Ta=25
Ta= -55
10
IB=5mA
0
0 2 4 6 8 10
集电极-发射极电压 VCE (V)
VCEsat-IC 温度特性 (典型)
10
1
Ta=125
0.1
Ta=25
0.01
0.1
IC/IB=4
1 10
集电极电流 IC (A)
无锡华润华晶微电子有限公司
1
0.01
0.1
1
10
集电极电流 IC (A)
VBEsat-IC 温度特性 (典型)
1.4
1.2
1
Ta=25
0.8
Ta=125
0.6
0.4
0.01
IC/IB=4
0.1 1
10
集电极电流 IC (A)
2015V01
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